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(2021-1-19)
K4S561632J-LC75
DRAM存储器IC
K6R4008C1C-JE12
SRAM存储器IC
K9F6408UOM-TCOO
存储芯片
S3C2410AL-20
存储芯片
K4M51163LC-BL75000
DRAM存储器IC
M471B5674EB0-YK0
模块
K4H560438E-GCB3
存储芯片
K9F2808U0B-YCB0
存储芯片
KM416V1004CJ-6
DRAM存储器IC
K6T4008C1C-VF55
SRAM存储器IC
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三星半导体开始量产第2代LPDDR4X移动DRAM内存芯片
三星公司开发出行业首款10 纳米等级8千兆位DRAM芯片
三星半导体推出新款32GB DDR4内存,功耗降低高达39%
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