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动态随机存储器 - 三星半导体公司精选产品

三星先进的存储器技术带给您非凡的性能体验,三星 DRAM 凭借众多计算解决方案促进创新并提升性能,包括 PC 和适用于先进 AI 应用的服务器。

 

四代双倍数据率同步动态随机存储器:高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持。凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗,三星 DDR4 可带来出色体验。

 

性能大幅提升

- 带宽显著提升,最高可达 3,200 Mbps

DDR4 能够以出色的速度传输更多数据,它提供 4 个储库组(共 16 个储库)以降低交错延迟,另外还具有 3,200 Mbps 带宽和 1TB/s 系统内存,因此可以更快速地轻松处理大量工作负载*。

 

低能耗,高能效

- 先进工艺技术

- 减少内核及通电/断电次数

凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术,DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。1.2V POD (低操作电压和伪漏极开路) 接口可实现更低的功耗,其能耗降低了 25%*。

 

三代双倍数据率同步动态随机存储器:三星业界先进的 DDR3 于 2005 年开发而成,是应用极为广泛的系统解决方案,无论是在 PC 和家用电器还是在汽车设备中,都得到广泛应用。

 

速度快,性能高

- 带宽是 DDR2 的两倍

由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍*。

 

功耗低、能效高的 DRAM 解决方案

- 与 DDR2 相比,功耗降低达 30%

三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低,与上一代产品相比,能耗减少了 30%,进而降低了总体拥有成本*。

 

高带宽存储器 Aquabolt:从下一代超级计算到人工知能 (AI) 和图形密集型技术,三星 一直处于技术前沿,最新开发的先进 8GB HBM Aquabolt 是精心设计的高带宽存储器,相对于其前一代 HBM Flarebolt,Aquabolt 极大地提高了性能并降低了能耗。

 

各层级性能强大

一个系统中仅有四个 Aquabolt 封装,工作性能可达到惊人的每秒 1.2 TB 的速度。相对于传统 HBM Flarebolt 产品,Aquabolt 的性能提高了 20%,最高可实现 1024 输入/输出 (I/O),每针脚速度达到 2.4 Gbps (1.2V 电压下)- 这使 三星 当前提供的 DRAM 具备最快的数据传输速度。307.2GB/s 的强大数据带宽,创造出几乎比 8 吉比特 (Gb) GDDR5 芯片快 10 倍的数据传输速度。

 

能效优化

创新性的 Aquabolt 内部设计增强了能效,与上一代产品相比,可将写入能耗降低约 20%,交错能耗降低约 25%,读取能耗降低几乎 30%

 

可靠性增强

为了增强热控制和耐用性,相对于上一代 HBM,Aquabolt 的每一个立方都包含多个热块和一个新的保护性底层,用于预防来自直接接触体的压力、冲击和颗粒可能导致的错误和数据丢失。

 

高带宽存储器 Flarebolt:通过在更小的空间内实现高带宽、快速数据传输、先进的图形处理和新一代网络连接,三星 HBM Flarebolt 对存储器进行了革新。

 

升级到更高级别的 高性能计算 (HPC)

- 速度比 GDDR5 快 8 倍*

- 1TB/s 的系统存储器带宽

三星的 HBM Flarebolt 提供了超快的性能,以及速度得到显著提升的 1,024 输入/输出 (I/O) 和 1TB/s 的系统存储器带宽(8 个通道时为 256GB/s)。HBM Flarebolt 创纪录的数据传输速度符合 AI 和机器学习等新型 IT 行业不断增长的市场需求。

 

经过证实的可靠性及更低的功耗

- 能效提高 20%

与 GDDR5 的 1.5V 操作电压相比,三星 HBM Flarebolt 的 1.35V 操作电压使功耗减少了 20%,因此可以更有效地控制功耗*。

 

高度压缩的封装

- 每个分区 8GB,可实现充分的设计灵活性

- 所用 印刷电路板(PCB)空间减少 94%*

由于采用整体式设计以及堆叠的存储器和 中央处理器 (CPU) / 图形处理单元 (GPU),因此与 GDDR5 相比,大大节省了空间。三星 HBM Flarebolt 所占空间比 GDDR5 少 94%,是适合平整小型封装的完美解决方案。

 

六代显存:三星的先进 GDDR6 可为图形密集型应用提供出色的解决方案,并在图形卡和 高性能计算 (HPC) 方面推动创新。

 

五代显存:三星 GDDR5 为在 VGA 卡、游戏控制台和高性能计算 (HPC) 方面实现卓越的高能效性能树立了标准。

 

四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器:三星专为移动设备打造的超快速 LPDDR4X 创新产品正在进军全球移动 DRAM 市场,它将为打造更加智能的创意产品提供潜在可能。

 

四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器:三星的 LPDDR4 是一款突破性产品,不但数据传输速度更快,而且能耗更低,从而为超薄设备、人工知能 (AI)、虚拟现实 (VR) 和可穿戴设备提供了更多设计方面的选择。

 

三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器:三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。

 

模组:三星 的存储器模块适用于各种应用,可在满足低功耗要求的同时提供出色性能。

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