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多制层封装芯片 - SAMSUNG三星半导体
SAMSUNG多制层封装芯片

三星通过将移动 DRAM 与 NAND 巧妙地组合到一个紧密封包中,开发了全面的 MCP 产品阵容,实现了前沿的性能和设计。

 

丰富多样的 MCP 产品阵容选项

- 众多组合,可实现灵活的设计

三星拥有众多经过优化的 MCP 选项和双控制器,可为智能手机、可穿戴设备、人工知能 (AI) 和物联网设备等所有细分市场的整体设计方案提供充分的灵活性。

 

顺畅集成,流畅协作

- 来自存储器领域领先者的快速支持

三星在开发 MCP 移动 DRAM 和 NAND 组件方面所掌握的专业技术可缩短产品上市时间,并可提供先进的高带宽存储器技术、可靠供应和快速故障排查。

 

出色的超薄,移动设计

- 更具智能的堆叠,提供更大的设计空间

三星采用更纤薄的芯片堆叠设计,这一创新实现了更小的封装,提供了更大的设计空间。此外,适用于三星 MCP 的增强型移动 DRAM 还降低了电源需求并延长了电池寿命。

三星芯片热门搜索型号(2024年12月3日)
KM416C1200CJ-L5
DRAM存储器IC
出厂封装
K9FAG08U0M-PCB0
存储芯片
TSOP
K4B1G0446D-HCH9
存储芯片
FBGA
K4A4G165WE-BCTD
双倍数据率同步动态随机存储器
96FBGA
K4P1G324EQ-NGC1
存储芯片
BGA
K4E171612D-TC60
存储芯片
TSOP
K6R1008V1D-TC15
存储芯片
TSOP
S3C44BOX01-ED80
存储芯片
QFP160
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