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三星半导体推出新款32GB DDR4内存,功耗降低高达39%

三星电子是先进内存技术领域的全球先进企业,如今宣布已开始大规模生产业内首款呈小外形双列直插式内存模块(SoDIMM)的泛用格式的用于游戏笔记本电脑的 32-千兆字节(GB)双倍数据速率 4(DDR4)内存。新的 SoDIMM 基于 10 纳米(nm)级工艺技术,可让用户在旅途中享受丰富的PC 级电脑游戏,显著提高容量、提高速度并降低能耗。 

 

使用新的内存解决方案,PC 制造商可以构建速度更快的高配版面向游戏的笔记本电脑,其电池续航时间更长,超越传统的移动工作站,同时保持现有的PC 配置。 

 

“三星的 32GB DDR4 DRAM 模块将为笔记本电脑带来新的游戏体验。”三星电子内存市场高级副总裁 全世原 (Sewon Chun) 表示。“我们将继续为包括高端笔记本电脑和台式机在内的所有关键细分市场提供先进的 DRAM 产品组合,并提高其速度和容量。” 

 

与三星 2014 年推出的基于 20nm 级 8 千兆位(Gb)DDR4 的 16GB SoDIMM 相比,新款 32GB 模块的容量翻了一番,速度提高了 11%,能效提高了约 39%。 

 

共有 16 颗三星最新的 16 千兆位(Gb)DDR4 DRAM 芯片(前后各安装8颗芯片),32GB SoDIMM 可让游戏笔记本电脑的速度达到每秒2,666兆位(Mbps)。 

 

配置有两个 32GB DDR4 模块的 64GB 笔记本电脑在主动模式下功耗不到 4.6瓦(W),闲置时功耗低于 1.4W。与目前领先的配备 16GB 模块的面向游戏的笔记本电脑相比,这分别降低了大约 39% 和超过 25% 的用电量。 

 

三星已经开始积极扩大其业界较大的 10nm 级DRAM 阵容(16Gb LPDDR4、16Gb GDDR5和16Gb DDR4)的提供,这将在移动、图形、PC 和服务器领域且随后在超级计算机和汽车系统等其他市场迎来 16Gb DRAM 的新时代。 

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