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  • 三星芯片官网中文新闻频道::2022年7月5日三星半导体公司重要资讯、突发新闻

    三星的 16Gb LPDDR4X 超越了其 20 纳米级汽车2 级的能够承受 -40°C 到 105°C 温度的 DRAM,并且符合汽车等级 1 标准,将高端阈值提升到 125°C。

    8Gb LPDDR5 具有高达 6,400 兆位每秒 (Mb/s) 的数据传输速度,这是当前旗舰移动设备(LPDDR4X,4266Mb/s)中所使用移动 DRAM 芯片速度的 1.5 倍。

    与当前旗舰移动设备中使用较多的移动 DRAM 内存芯片(1x 纳米 16Gb LPDDR4X)相比,第 2 代 LPDDR4X DRAM 可降低高达 10% 的功耗,同时保持 4,266 兆位/秒 (Mb/s) 的相同数据速率。

    Exynos调制解调器5100的单芯片实现了多模模式,不仅能使用5G,还能支持不同代别的移动通信标准GSM、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、HSPA、LTE-FDD和 LTE-TDD,让数据通信更稳定、有效。

    与三星半导体2014年推出的基于 20nm 级 8 千兆位(Gb)DDR4 的 16GB SoDIMM 相比,新款 32GB 模块的容量翻了一番,速度提高了 11%,能效提高了约 39%。

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