三星芯片 K4E171612D-T50 512Mb DDR3 SDRAM 内存芯片 1.5V 低功耗 96-ball FBGA封装

K4E171612D-T50技术参数详情：

K4E171612D-T50是一款基于DDR3 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该器件采用先进的半导体工艺制造，内部核心架构由多个存储阵列（Bank）、行列地址解码器、灵敏放大器以及复杂的时序与控制逻辑单元构成。其核心工作电压为1.5V，通过双倍数据速率（DDR）技术在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了倍增的有效数据带宽，显著提升了系统内存子系统的吞吐效率。

该芯片具备一系列优化的功能特性，旨在满足现代计算系统对速度与稳定性的严苛要求。它支持8个内部存储体（Bank）以实现高效的命令交错操作，减少访问延迟。其预取架构为8n，配合突发长度（BL）可编程设置，能够高效匹配处理器的数据访问模式。此外，器件集成了片上终端电阻（ODT）功能，有助于简化主板设计，改善信号完整性，并降低系统功耗。自动刷新与自刷新模式确保了数据在待机或低功耗状态下的可靠保持，而可编程的CAS延迟、写入延迟等时序参数则为系统设计者提供了精细的性能调优空间。

在接口与电气参数方面，K4E171612D-T50采用标准的78-ball FBGA封装，接口遵循JEDEC制定的DDR3 SDRAM规范。其组织架构为16M words × 16 bits × 8 banks，总容量达到256M字节（2Gb）。在时钟频率为800MHz（对应数据传输速率为1600Mbps/pin）的典型工作条件下，它能提供高达25.6GB/s的理论峰值带宽（以64位总线系统为例）。关键的操作时序，如tRCD、tRP、tRAS等，均经过精心设计以平衡性能与稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过专业的三星IC代理获取原厂正品及完整的设计资源。

凭借其高带宽、低功耗及良好的信号完整性，K4E171612D-T50广泛应用于对内存性能有持续需求的各种领域。它是企业级服务器、高性能工作站、网络通信设备（如路由器、交换机）以及高端图形处理单元的理想内存解决方案。同时，在需要处理大量实时数据的工业控制设备、嵌入式系统以及某些消费电子领域的高端产品中，该芯片也能提供稳定可靠的数据缓存支持，是构建高效能计算平台的核心基础元件之一。

三星半导体完整型号：K4E171612D-T50
存储器结构：
速度：
电源电压：
包装：
环保标准：
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在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您是否正在寻找一款能够承载海量数据、确保系统流畅运行的可靠内存解决方案？答案或许就藏在K4E171612D-T50之中。这款由业界领先技术打造的内存芯片，不仅仅是一个组件，更是您产品性能飞跃的基石，它能将数据处理能力提升到一个全新的高度，让复杂运算变得行云流水，让系统响应快如闪电。

无论是高端图形工作站需要处理庞大的渲染任务，还是数据中心服务器面临每秒数百万次的并发请求，K4E171612D-T50都能从容应对。它同样能完美融入网络通信设备、高性能计算集群以及各类需要大带宽、低延迟的嵌入式系统中，为您的产品注入澎湃且稳定的数据吞吐动力。选择它，意味着为您的核心设备配备了最值得信赖的“记忆中枢”。

那么，为何众多工程师和采购专家都将目光锁定在这颗芯片上？其根本在于它带来的综合价值远超预期。它不仅在速度与容量上达到了精妙的平衡，更在功耗控制和信号完整性方面表现出色，这直接转化为更长的设备续航、更低的散热需求以及整体系统可靠性的显著提升。当您通过值得信赖的三星IC代理获取正品K4E171612D-T50时，您获得的不仅是顶尖的硬件，更是项目成功的有力保障和面向未来的技术竞争力。