三星芯片 K4E160811D-BC50 DDR3 SDRAM内存芯片 4Gb容量 1600Mbps速率 1.5V电压

K4E160811D-BC50技术参数详情：

K4E160811D-BC50是一款基于DDR4 SDRAM技术标准设计的高性能、低功耗动态随机存取存储器。其核心架构采用先进的1x纳米级工艺制程，内部由多个Bank Group、Bank、行与列地址构成的存储阵列组成，并集成了片上终结（ODT）与数据总线翻转（DBI）等关键电路。该架构支持高速的突发读写操作，通过预取（Prefetch）与流水线技术，在保证数据完整性的同时，有效提升了数据传输带宽，满足了现代计算系统对内存子系统日益增长的性能需求。

该器件具备出色的功能特性，其工作电压低至1.2V（VDD/VDDQ），显著降低了系统整体功耗与发热。支持高达3200Mbps的数据传输速率，配合可编程的CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）等时序参数，为系统设计提供了高度的灵活性与优化空间。其内置的自动刷新与自刷新模式能够可靠地维持存储单元中的数据，同时集成的错误检测功能增强了系统在严苛运行环境下的数据可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的用户，可以通过专业的三星半导体代理渠道获取该产品及相关服务。

在接口与参数方面，它采用标准的288-ball FBGA封装，接口符合JEDEC DDR4规范。其组织架构为2Gb容量（128M x16），提供16位宽的数据I/O接口。关键电气参数包括可编程的片内终结电阻值、差分时钟输入（CK_t/CK_c）以及数据掩码（DM）功能。这些设计确保了信号在高速传输下的完整性，减少了同步开关噪声（SSN）的影响，使得该芯片能够稳定工作在工业级温度范围。

凭借其高性能与高可靠性，K4E160811D-BC50广泛应用于对内存带宽和能效有严格要求的场景。它是高性能服务器、数据中心、网络交换设备及高端工作站中内存模组（如RDIMM, SODIMM）的核心组件。同时，也适用于需要大容量缓存和高速数据处理的工业控制设备、通信基础设施以及专业的图形处理与计算加速卡，为各类计算密集型应用提供了坚实的内存基础。

三星芯片标准型号：K4E160811D-BC50
存储容量：
速度：
电源电压：
包装：
环保标准：
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