K4B4G1646E-BYK000技术参数详情：
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- 型号:K4B4G1646E-BYK000
- 品牌:Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung,三星半导体芯片)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:-
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.35V
- 工作温度:0°C ~ 95°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:-
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