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CIB41P800NE 图片
CIB41P800NE
  • 制造厂商:三星半导体(SAMSUNG)
  • 类别封装:铁氧体磁珠和芯片,封装:1806(4516 公制)
  • 技术参数:FERRITE BEAD 80 OHM 1806 1LN
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    专营三星芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,三星半导体授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CIB41P800NE
  • 制造商:Samsung Electro-Mechanics
  • 描述:FERRITE BEAD 80 OHM 1806 1LN
  • 产品系列:铁氧体磁珠和芯片
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:CIB41
  • 零件状态:停产
  • 滤波器类型:-
  • 线路数:1
  • 不同频率时阻抗:80 Ohms @ 100MHz
  • 额定电流(最大):1A
  • DC电阻?(DCR)(最大值):30 毫欧
  • 等级:-
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 封装:1806(4516 公制)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 高度(最大值):0.071(1.80mm)
  • 大小/尺寸:0.177 长 x 0.063 宽(4.50mm x 1.60mm)
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