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三星半导体开始量产第2代LPDDR4X移动DRAM内存芯片

三星电子,先进内存技术的出色企业,于今日宣布,公司已开始量产行业第 2 代 10 纳米级*(1y 纳米)LPDDR4X(低功率、双倍数据速率、第 4 代)DRAM,以改善如今高级智能手机和其他移动应用的效率并降低电池消耗。 

 

与当前旗舰移动设备中使用较多的移动 DRAM 内存芯片(1x 纳米 16Gb LPDDR4X)相比,第 2 代 LPDDR4X DRAM 可降低高达 10% 的功耗,同时保持 4,266 兆位/秒 (Mb/s) 的相同数据速率。 

 

“10 纳米级移动 DRAM 的推出,将有力增强下一代旗舰移动设备的性能,预计可能会在今年晚些时候或 2019 年上半年上市”, 三星电子 内存销售与营销高级副总裁 全世原 (Sewon Chun) 说。 “我们将继续扩展我们的高级 DRAM 产品阵容,引领‘高性能、高容量和低功率’内存领域,满足市场需求,以及加强我们的业务竞争力。” 

 

三星将通过 1y 纳米工艺将其高级 DRAM 产品阵容扩展 70% 以上。 这一计划从去年十一月量产 10 纳米级 8Gb DDR4 服务器 DRAM 开始,仅在八个月之后就紧接着推出了这一款 16Gb LPDDR4X 移动内存芯片。 

 

三星公司说,通过将四个 10 纳米级 16Gb LPDDR4X DRAM 芯片组合在一起 (16Gb=2GB),公司创造了一款 8GB LPDDR4X 移动 DRAM 封装。 这款四通道封装可实现 34.1GB/秒的数据速率,其厚度相对于第 1 代封装降低了超过 20%,使 原始设备制造 (OEM) 能够设计更薄更高效的移动设备。 

 

凭借先进的 LPDDR4X 技术,三星将能够通过提供各种高容量产品,包括 4GB、6GB 和 8GB LPDDR4X 封装,从而快速提高其移动 DRAM 在市场中的份额。 

 

为了配合 10 纳米级 LPDDR4X 的推出,三星已经开始在韩国平泽启动新的 DRAM 生产线,确保稳定供应所有移动 DRAM 芯片,满足市场不断增长的需求。 

 

*10 纳米级表示介于 10 至 19 纳米之间的工艺技术节点。 

 

时间表:三星自 2012 年起量产移动 DRAM 的历史 

1) 2012.08 2GB 30 纳米级          4Gb LPDDR3,1600Mb/s 

2) 2013.04 2GB 20 纳米级 (2y) 4Gb LPDDR3,2133Mb/s 

3) 2013.11 3GB 20 纳米级 (2y) 6Gb LPDDR3,2133Mb/s 

4) 2014.09 3GB 20 纳米级 (2z) 6Gb LPDDR3,2133Mb/s 

5) 2014.12 4GB 20 纳米级 (2z) 8Gb LPDDR4,3200Mb/s 

6) 2015.08 6GB 20 纳米级 (1z) 12Gb LPDDR4,4266Mb/s 

7) 2016.09 8GB 10 纳米级 (1x) 16Gb LPDDR4,4266Mb/s 

8) 2018.07 8GB 10 纳米级 (1y) 16Gb LPDDR4X,4266Mb/s 

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